高精密高壓電容電橋QS30Ⅰ型簡介

1.QS30介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀  簡介

QS30Ⅰ型高壓電橋為實驗室用高精密高壓電橋,可與各類高壓標準電容器配合組成高壓電容電橋，適宜于在高電壓下測量電力電纜、高壓套管、電力電容器、互感器等高壓電力設(shè)備的電容量及損耗角正切值tgδ，以及各種固體或液體絕緣材料的介電常數(shù)（ε）及損失角正切值，也可測量高壓變壓器或電壓互感器的比差和角差。電橋可外接電流互感器以擴大量程，測量大電容時本電橋為四端測量具有引線補償裝置，消除接線電阻引起的附加誤差。本電橋還可測量電抗器的電感量及Q值。QS30Ⅰ-3型量程擴展器（供選購）能使主橋體的電容比從1000：1擴大到10⁶：1，當標準電容為1000pF時，儀器大可測得1000uF。儀器內(nèi)部的計算機能自動對測試數(shù)據(jù)進行處理，直接在面板上顯示電容值及介損值tgδ和測試電壓及流經(jīng)標準電容的電流（Is），并可通過打印機將測試結(jié)果打印出來.

2. QS30介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀 主要技術(shù)指標

• 電橋電容比Cx/Cs（當額定比率為1：1時）為0到1.111110，步級0.000001，倍率（K）變化范圍為1000、500、200、100、50、20、10、5、2、1共十檔，電容的測量范圍取決于標準電容器Cs的大小電容值，即Cx=Cs·K·（Cx/Cs）
• 電容比率值的測量準確度：電容比率讀數(shù)第一只盤為滿度時

 為±0.00005

• 電橋tgδ范圍為-0.111110到+0.111110，步級為0.000001。
• tgδx測量準確度不大于±0.2% tgδx±1×10^-5
• 被測電容量顯示：Cx=（0.1~1111.1110）Cn
• 被測電容介損顯示：tgδ= -1.11×10^-1到1.11×10^-1  
• 外形尺寸：560（寬）*410（深）*390（高）毫米。
• 重量：約40公斤。
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